Currency IRR
Transistor KT630B – Elektro Mag | all.biz
Buy Transistor KT630B
Transistor KT630B

Transistor KT630B

In stock
Reconfirm the price with seller
For example: +98(50)123-45-67
Payment:
  • Cash,
  • Invoice payment,
  • Cash on delivery
  • In detail
Shipping:
  • Customer pickup,
  • Courier,
  • Transport company
  • In detail
Ukraine, Rovno
(View map)
+380 
Display phones

Company rating

80% of positive reviews from 45
8
8 years on Allbiz
Technical characteristics
  • Country of manufactureRussia
Description
KT630B
Transistors KT630B silicon npn planar structures universal. 
Designed for use in amplifiers and pulse devices, gas discharge control circuits AC panel, power stages and transformers key stabilizers. 
Transistors KT630A, KT630B, KT630V, KT630G, KT630D, KT630E produced in metal packages with flexible leads.
instrument type indicated on the package. 
Device type is indicated on the label.
transistor Weight not more than 2 g
Body type: KT-2.
Specifications: aA0.336.146 TU.

The main technical characteristics of the transistor KT630B:
• The structure of transistor: npn;
• Pk max - Constant collector dissipation power: 0.8W;
• fgr - transistor current gain cutoff frequency for the common-emitter circuit: not less than 50 MHz;
• Ukbo max - The maximum collector-base voltage at a predetermined reverse current collector and emitter open circuit: 120;
• Uebo max - maximum voltage of the emitter-base reverse current at a given emitter and open collector circuit: 7;
• Ik max - the maximum allowed collector current: 1000 mA;
• Ik and max - maximum allowable pulse collector current: 2000 mA;
• Ikbo - reverse current collector - the current through the collector junction reverse voltage for a given collector-base and emitter deriving open: not more than 1 pA (90B);
• h21e - Static transistor current gain for common-emitter circuits 80 ... 240;
• Cc - The capacity of the collector junction: no more than 15 pF;
• Rke us - saturation resistance between the collector and emitter: no more than 2 ohms  

Технические характеристики транзисторов КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт   В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С
КТ630А n-p-n 1 2 120 120 7 0,8 40…120 <0,3 <1 <100 - >50 <15 <65 150 -60…+125
КТ630Б n-p-n 1 2 120 120 7 0,8 80…240 <0,3 <1 <100 - >50 <15 <65 150 -60…+125
КТ630В n-p-n 1 2 150 150 7 0,8 40…120 <0,3 <1 <100 - >50 <15 <65 150 -60…+125
КТ630Г n-p-n 1 2 100 100 5 0,8 40…120 <0,3 <1 <100 - >50 <15 <65 150 -60…+125
КТ630Д n-p-n 1 2 60 60 5 0,8 80…240 <0,3 <1 <100 - >50 <15 <65 150 -60…+125
КТ630Е n-p-n 1 2 60 60 5 0,8 160…480 <0,3 <1 <100 - >50 <15 <65 150 -60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
Shipping method
Payment method
Contact the seller
Transistor KT630B
Transistor KT630B
for
by the goods
Your message must contain at least 20 symbols. The message must not be more than 2000 symbols.
Obligatory field is not filled
The field is wrongly filled
The field is wrongly filled
Compare0
ClearSelected items: 0